比亚迪自研量产全新碳化硅功率芯片，引领新能源汽车技术革新

随着全球新能源汽车市场的快速发展，动力电池、电机、电控等关键零部件的技术水平已成为衡量新能源汽车性能的关键指标，比亚迪正式发布了一项重大技术突破——自研量产全新碳化硅功率芯片，此举标志着我国新能源汽车产业链在关键技术领域迈出了坚实的一步。

据悉，这款全新碳化硅功率芯片是比亚迪新一代纯电技术平台——超级e平台的核心部件，该平台在电机、电池、电控等领域全面升级，实现电动化深度整合，并支持1MW功率闪充，实现油电同速，此次发布的碳化硅功率芯片，电压等级高达1500V，是行业首次量产应用的、最高电压等级的车规级碳化硅功率芯片。

碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高温、高频、耐压等特性，是替代传统硅基IGBT的关键材料，相较于传统硅基IGBT，碳化硅功率芯片具有更低的导通电阻和开关损耗，能够显著提高电动汽车的电机驱动效率，降低能耗，延长续航里程。

比亚迪此次自研量产的全新碳化硅功率芯片，具有以下优势：

1、高效率：该芯片的导通电阻仅为传统硅基IGBT的1/10，开关损耗降低50%，有效提高了电机驱动效率，降低了能耗。

2、高可靠性：采用先进的封装技术和材料，确保芯片在高温、高压、高频等恶劣环境下稳定工作，提高了电动汽车的使用寿命。

3、高集成度：芯片集成了驱动电路、保护电路等功能，简化了电路设计，降低了系统成本。

4、快速响应：芯片具有更快的开关速度，能够满足新能源汽车对电机响应速度的要求。

比亚迪自研量产全新碳化硅功率芯片的成功，意味着我国在新能源汽车关键零部件领域取得了重大突破，这不仅有助于提升我国新能源汽车的国际竞争力，还将推动我国新能源汽车产业链的快速发展。

比亚迪将继续加大研发投入，推动碳化硅功率芯片等关键技术的应用，助力我国新能源汽车产业实现跨越式发展，比亚迪也将携手产业链上下游企业，共同推动新能源汽车技术的创新与进步，为全球新能源汽车产业发展贡献力量。